GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法

标准编号：GB/T 36474-2018

标准名称：半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法

英文名称：Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)

发布日期：2018-06-07

实施日期：2019-01-01

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会

主管部门：工业和信息化部（电子）

起草人

孔宪伟、殷梦迪、高专、刘建明、尹萍、巨鹏锦

起草单位

中国电子技术标准化研究院、上海高性能集成电路设计中心、成都华微电子科技有限公司、西安紫光国芯半导体有限公司、武汉芯动科技有限公司

标准范围

本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器（DDR3SDRAM）功能验证和电参数测试的方法。

本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器（DDR3SDRAM)功能验证和电参数测试。