GB/T 45719-2025 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验

标准编号：GB/T 45719-2025

标准名称：半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验

英文名称：Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors

发布日期：2025-05-30

实施日期：2025-09-01

提出单位：工业和信息化部（电子）

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

批准发布部门：工业和信息化部（电子）

起草人

路国光、章晓文、杨少华、彭超、来萍、梁斌、晋李华、林晓玲、游海龙、肖庆中、韦覃如、张魁、赵文斌

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所、国防科技大学、中国电子科技集团公司第五十八研究所、西安电子科技大学、河北北芯半导体科技有限公司

标准范围

本文件描述了晶圆级的NMOS和PMOS晶体管热载流子试验方法，该试验旨在确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。

标准文档截图