T/CASAS 048-2025 碳化硅单晶生长用等静压石墨

团体标准

标准编号:T/CASAS 048-2025

标准名称:碳化硅单晶生长用等静压石墨

英文名称:Iso-static graphite for silicon carbide single crystals

发布日期:2025-04-23

实施日期:2025-04-23

团体名称:北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草人

屈睿航、周明、董博宇、吴厚政、李贺、杨牧龙、彭珍珍、张静、田涛、李殿浦、袁振洲、宁秀秀、侯晓蕊、杨弥珺、武雷、徐明升、张逊熙、刘涛、曹洪涛、赵正星、范金桃、孔令沂、曾一平、徐瑞鹏

起草单位

赛迈科先进材料股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、山东大学、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、杭州海乾半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

标准范围

本文件描述了碳化硅单晶生长用等静压石墨的技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存等。

本文件适用于纯度要求达到5N5(质量分数99.9995%)以上的碳化硅单晶生长用或碳化硅粉体合成用等静压石墨,包括碳化硅单晶生长用加热器、坩埚、籽晶托等内部构件,以及碳化硅粉体合成用加热器、坩埚等石墨热场部件。

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