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ISO 5618-1:2023 精细陶瓷(先进陶瓷、高技术陶瓷) GaN晶体表面缺陷的试验方法 第1部分:缺陷分类
标准编号:ISO 5618-1:2023
中文名称:精细陶瓷(先进陶瓷、高技术陶瓷) GaN晶体表面缺陷的试验方法 第1部分:缺陷分类
英文名称:Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics) — Test method for GaN crystal surface defects — Part 1: Classification of defects
发布日期:2023-11
标准范围
该文献给出了在单晶氮化镓(GaN)衬底或单晶GaN膜上出现的各种表面缺陷中的位错和工艺引起的缺陷的分类。适用于以下类型GaN衬底或薄膜表面暴露的位错和工艺诱发缺陷:—?单晶GaN衬底;—?通过在单晶GaN衬底上同质外延生长形成的单晶GaN膜;—?通过在单晶氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)或硅(Si)衬底上异质外延生长形成的单晶GaN膜。如果表面法线与GaN c轴的锐角绝对值为?≥?8°.
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