T/COS 029-2025 电子封装用高硅铝合金化学分析方法痕量杂质元素的测定辉光放电质谱法

标准编号：T/COS 029-2025

标准名称：电子封装用高硅铝合金化学分析方法痕量杂质元素的测定辉光放电质谱法

英文名称：Methods for chemical analysis of high silicon aluminum alloy for electronic packaging Determination of trace impurity elements contents—Dlow discharge mass spectrometry

发布日期：2025-10-01

实施日期：2025-10-01

团体名称：中国兵工学会

起草人

翟宇鑫、连危洁、杜喜望、韩震、崔崇亮、崔意娟、李爽、田兆永、李颖、陈伟、马兰、韩振生、李惠雨、张毅飞、赵敏

起草单位

中国兵器工业集团第五二研究所，中国兵器工业集团第五三研究所，中国电子科技集团公司第二十九研究所

标准范围

本文件规定了电子封装用高硅铝合金（硅添加量≥40%）中痕量杂质元素含量的测定方法。

本文件适用于电子封装用高硅铝合金（硅添加量≥40%）中痕量杂质元素含量的测定。测定范围覆盖除气体元素外的其他杂质元素，质量分数为0.1 ㎎/㎏-500 ㎎/㎏，且经标准样品校正后，可对样品进行准确的定量分析。

标准文档截图