T/CASAS 044-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高压高温高湿反偏试验方法

标准编号：T/CASAS 044-2025

标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高压高温高湿反偏试验方法

英文名称：High voltage high temperature high humidity reverse bias test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET)

发布日期：2025-12-30

实施日期：2025-12-30

团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草人

毛赛君、杨书豪、王培飞、陈媛、罗涛、陆月明、刘红超、王珩宇、李汝冠、谢峰、祝遵祥、陈志玉、孙博韬、李钾、王民、陈中圆、周紫薇、段元淼、肖科、吴畅、郭清、林氦、杨奉涛、张雷、唐虎、刘鹏飞、仲雪倩、谢斌、孙钦华、胡惠娜、郭俊、乔良、李本亮、高伟

起草单位

毛赛君、杨书豪、王培飞、陈媛、罗涛、陆月明、刘红超、王珩宇、李汝冠、谢峰、祝遵祥、陈志玉、孙博韬、李钾、王民、陈中圆、周紫薇、段元淼、肖科、吴畅、郭清、林氦、杨奉涛、张雷、唐虎、刘鹏飞、仲雪倩、谢斌、孙钦华、胡惠娜、郭俊、乔良、李本亮、高伟

标准范围

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高压高温高湿反偏试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。

本文件适用范围：SiC MOSFET分立功率器件，功率模块。

标准文档截图