T/CASAS 021-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压测试方法

标准编号：T/CASAS 021-2025

标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压测试方法

英文名称：Threshold voltage test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistor(SiC MOSFET)

发布日期：2025-12-30

实施日期：2025-12-30

团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草人

张国斌、刘奥、柏松、黄润华、杨勇、桂明洋、迟雷、陈媛、徐申、孙钦华、李汝冠、郭清、林氦、万玉喜、周紫薇、杨安丽、吴畅、孙承志、陈彦锐、何黎、崔潆心、胡惠娜、王来利、裴云庆、韩冰冰、佘超群、刘宗亮、赵高锋、郭俊、赵海明、姜南、张珺、高伟

起草单位

中国电子科技集团第五十五研究所、南京第三代半导体技术创新中心有限公司、扬州国扬电子有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、工业和信息化部电子第五研究所、东南大学、合肥功立德半导体科技有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、浙江大学、浙江大学绍兴研究院、深圳平湖实验室、湖北九峰山实验室、是德科技（中国）有限公司、博测锐创半导体科技（苏州）有限公司、北京励芯泰思特测试技术有限公司、山东大学、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、西安交通大学、朝阳微电子科技股份有限公司、山东阅芯电子科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司、芯合半导体（合肥）有限公司、广东能芯半导体科技有限公司、南京邮电大学、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

标准范围

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压测试方法。

本文件适用于N沟道SiC MOSFET晶圆、芯片及封装产品的测试。

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