GB/T 46789-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验

标准编号：GB/T 46789-2025

标准名称：半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验

英文名称：Semiconductor devices—Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

发布日期：2025-12-02

实施日期：2026-07-01

提出单位：工业和信息化部

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

批准发布部门：工业和信息化部（电子）

起草人

赵海龙、彭浩、席善斌、黄志强、冉红雷、尹丽晶、柳华光、曲韩宾、章晓文、苏海伟、朱袁正、杨国江、张魁、张中、黄杰、刘东月、颜天宝、裴选、任怀龙、高博、陈磊、李述洲、李永安、康金萌

起草单位

中国电子科技集团公司第十三研究所、合肥华祯智能科技有限公司、厦门芯阳科技股份有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、浙江朗德电子科技有限公司、无锡新洁能股份有限公司、河北赛美科技有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、佛山市川东磁电股份有限公司、河北新华北集成电路有限公司、上海维安半导体有限公司、重庆平伟实业股份有限公司、江苏长晶科技股份有限公司

标准范围

本文件确立了一种用于确定金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs)的氧化层中可动正电荷数量的晶圆级测试程序。

本文件适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管。可动电荷会引起半导体器件退化，例如改变MOSFETs的阈值电压或使双极型晶体管基极反型。

标准文档截图