GB/T 44937.2-2025 集成电路 电磁发射测量 第2部分：辐射发射测量 TEM小室和宽带TEM小室法

标准编号：GB/T 44937.2-2025

标准名称：集成电路 电磁发射测量 第2部分：辐射发射测量 TEM小室和宽带TEM小室法

英文名称：Integrated circuits—Measurement of electromagnetic emissions—Part 2: Measurement of radiated emissions—TEM cell and wideband TEM cell method

发布日期：2025-12-31

实施日期：2026-07-01

提出单位：工业和信息化部（电子）

归口单位：全国集成电路标准化技术委员会

批准发布部门：工业和信息化部（电子）

起草人

郑益民、崔强、吴建飞、方文啸、胡小军、李焕然、梁吉明、褚瑞、张洁、谭泽强、张勇、刘佳、赵骥、王紫任、郭辉、张吉宇、付君、黄雪梅、朱赛、张治中、符荣杰、王新才、李齐、菅端端、亓新、陈彦、赖秋晖、朱崇铭、李旺、刘海涛、陈小勇、鲍宇航

起草单位

中国电子技术标准化研究院、中国汽车工程研究院股份有限公司、厦门海诺达科学仪器有限公司、苏州泰思特电子科技有限公司、天津先进技术研究院、北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司、中国家用电器研究院、广州赛宝计量检测中心服务有限公司、中国合格评定国家认可中心、极氪汽车（宁波杭州湾新区）有限公司、中国信息通信研究院、深圳市必联电子有限公司、柳州汽车检测有限公司、拢泽（上海）技术有限公司、浙江诺益科技有限公司、海研芯（青岛）微电子有限公司、中山大学、北京智芯微电子科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、中汽研新能源汽车检验中心（天津）有限公司、南京信息工程大学、海军电磁兼容研究检测中心、福州物联网开放实验室有限公司、中国北方车辆研究所、合兴汽车电子（太仓）有限公司、中航光电科技股份有限公司、重庆新民康科技优先公司

标准范围

本文件描述了一种测量集成电路（IC）电磁辐射的方法。受试IC需安装在一块IC试验印制电路板（PCB）上，该PCB固定在横电磁波（TEM）小室或者吉赫兹横电磁波（GTEM）小室顶部或底部切割出的一个匹配端口（称为壳体端口）上。该PCB不像通常用法位于小室内，而是作为小室壁面的一部分。本方法适用于任何修改后增加了壳体端口的TEM小室或GTEM小室（见附录B）。但是，被测的射频（RF）电压将会受到很多因素的影响。影响被测RF电压的主要因素是芯板和IC试验PCB（小室壳体）之间的距离。

本方法使用1 GHz TEM小室（芯板与地平面距离为45 mm）和GTEM小室（芯板与匹配端口区域地平面平均距离为45 mm）进行试验。其他小室或许不用产生同样的频谱输出，但只要频率和灵敏度特性允许，也能用作比较测量使用。对于地平面与芯板间距不同的TEM小室或GTEM小室产生的测量数据，在应用修正系数后再进行比较。

IC试验PCB控制着工作的IC相对于小室的几何位置和方向，避免了IC在小室内的任何电缆连接（这些线缆布置于PCB背面，位于小室外部）。TEM小室的一个50 Ω端口端接50 Ω负载。TEM小室的另一个50 Ω端口或GTEM小室的唯一一个50 Ω端口，连接到频谱分析仪或接收机的输入端，用以测量IC产生的并传递在小室芯板上的射频发射。

标准文档截图