T/CIET 1279-2025 碳化硅单晶生长技术规范 物理气相传输法（PVT）

标准编号：T/CIET 1279-2025

标准名称：碳化硅单晶生长技术规范 物理气相传输法（PVT）

英文名称：Technical specification for silicon carbide single crystal growth—Physical vapor transport method (PVT)

发布日期：2025-05-14

实施日期：2025-05-14

团体名称：中国国际经济技术合作促进会

起草人

王宇;陈鹏飞;侯晓蕊;袁振洲;袁丽;雷沛;顾鹏;刘西洋;陈颖超;刘岩;吴永利;汪贤峰;冀云;徐敬铭;包瑾;祝焕新

起草单位

眉山博雅新材料股份有限公司;苏州清橙半导体科技有限公司;山西烁科晶体有限公司;江苏超芯星半导体有限公司;通标中研标准化技术研究院（北京）有限公司;途邦认证有限公司

标准范围

本文件规定了碳化硅单晶生长物理气相传输法（PVT）的工艺原理、设备要求、工艺过程、质量控制、安全与环保等内容。本文件适用于采用PVT法生长碳化硅单晶的工艺过程、设备、材料、质量控制等相关技术要求，明确所涵盖的碳化硅单晶的晶型、尺寸范围等。

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