GB/T 47239.9-2026 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法

标准编号：GB/T 47239.9-2026

标准名称：半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法

英文名称：Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 9: Performance testing methods of one transistor and one resistor (1T1R) resistive memory cells

发布日期：2026-02-27

实施日期：2026-09-01

提出单位：工业和信息化部（电子）

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

批准发布部门：工业和信息化部（电子）

起草人

沈磊、孙建军、时拓、周睿晰、崔波、陈海蓉、俞剑、刘山佳、刘津畅、王明、张丽静

起草单位

上海复旦微电子集团股份有限公司、复旦大学、之江实验室、中国电子科技集团公司第十三研究所

标准范围

本文件描述了一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元的性能测试方法。本文件中的性能测试方法所测试的性能包括读、电预处理、置位、复位、耐久性和保持性。

本文件适用于柔性和刚性电阻存储器件，且不受器件的工艺和尺寸限制。

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