GB/T 4937.28-2026 半导体器件 机械和气候试验方法 第28部分：静电放电（ESD）敏感度测试 带电器件模型（CDM） 器件级

标准编号：GB/T 4937.28-2026

标准名称：半导体器件 机械和气候试验方法 第28部分：静电放电（ESD）敏感度测试 带电器件模型（CDM） 器件级

英文名称：Semiconductor devices—Mechanical and climate test methods—Part 28: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing—Charged device model (CDM)—device level

发布日期：2026-02-27

实施日期：2026-09-01

提出单位：工业和信息化部（电子）

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

批准发布部门：工业和信息化部（电子）

起草人

张涛、赵宇洋、吴小帅、王宇涛、郑雪峰、王超、贾林、陈亚洲、焦龙飞、安伟、彭浩、席善斌、陈昱宇、张宇航、孙锴、李博、杨寿国、单书珊、孙哲、雷胡敏、于胜东、张晋尘、谷亚敏、张文华、姜明宝、武锦、钟剑锋、黄初期、张海涛、柯佳键、骆宗友、张鹏程、许中广、迟雷、桂明洋、王冲、孙宏军、杨洁、胡小锋、陈龙坡、周晓黎、张崇、胡松祥、曹耀龙、陈浩祥、邵伟恒、李仲茂、常江、尹丽晶、李延林、杨国江、刘健、李斌晖、李述洲、刘芳、涂辛雅、唐佳、李兴哲、何洪文、朱礼贵、张腾、徐兴华

起草单位

河北北芯半导体科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、河北科技大学、西安电子科技大学、中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区、吉林麦吉柯半导体有限公司、吉林江机特种工业有限公司、重庆平伟实业股份有限公司、迅芯微电子（苏州）股份有限公司、广东众志检测仪器有限公司、合肥沛顿存储科技有限公司、芯百特微电子（无锡）有限公司、珠海诚锋电子科技有限公司、先之科半导体科技（东莞）有限公司、合肥科微芯测科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院微电子研究所、天津大学、吉林华微电子股份有限公司、北京芯可鉴科技有限公司、江苏长晶科技股份有限公司、杭州远方电磁兼容技术有限公司、湖南中南鸿思自动化科技有限公司、佛山市通科电子有限公司、日照鲁光电子科技有限公司、广东科信电子有限公司、广州盛中电子有限公司、上海源悦汽车电子股份有限公司

标准范围

本文件依据元器件和微电路对规定的带电器件模型（CDM）静电放电（ESD）所造成损伤或退化的敏感度，建立了元器件和微电路的ESD测试、评价、分级的程序。本文件适用于评价所有半导体封装器件、薄膜电路、声表面波（SAW）器件、光电器件、混合集成电路（HICs）及包括任意这些器件的多芯片组件（MCMs）。为进行测试，元器件需装配在与终端应用相似的封装中。本文件涉及的CDM模型不适用于插座式放电模型测试设备。本文件描述了场感应（FI）方法，另一种能作为替代的直接接触（DC）法见附录J。

本文件的目的是建立一种能够复现CDM失效并为不同测试设备间提供可靠、可重复的CDMESD测试结果且不区分器件类型的测试方法。重复性数据保证了CDMESD敏感度等级的准确划分及对比。

标准文档截图