GB/T 45716.1-2026 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验

标准编号：GB/T 45716.1-2026

标准名称：半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验

英文名称：Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)—Part 1: Fast bias-temperature instability test for MOSFETs

发布日期：2026-04-30

实施日期：2026-11-01

提出单位：工业和信息化部（电子）

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

批准发布部门：工业和信息化部（电子）

起草人

恩云飞、高汭、黄鹏、章晓文、杨晓锋、来萍、韦拢、孙哲、虞勇坚、贾沛、王嘉蓉、周晓阳、刘海波、刘健、吴永君、孙守强、朱礼贵、朱袁正、肖庆中、李潮、林晓玲、何玉娟、魏志鹏、韦覃如、牛皓、鹿祥宾、杨振宝、王凌云、杨彦峰、赵玉玲、杨国江、刘月、吴志刚、谢慧青

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国工程物理研究院流体物理研究所、广东芯聚能半导体有限公司、滁州华瑞微电子科技有限公司、深圳市芯电元科技有限公司、长春理工大学、杭州高裕电子科技股份有限公司、深圳市鲁光电子科技有限公司、北京智芯微电子科技有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、龙腾半导体股份有限公司、石家庄天林石无二电子有限公司、江苏长晶科技股份有限公司、重庆大学、粤芯半导体技术股份有限公司、南京宽能半导体有限公司、无锡新洁能股份有限公司

标准范围

本文件描述了用于硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的快速偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。

本文件还界定了与常规BTI试验方法有关的术语。

标准文档截图