DL/T 2979.1-2025 电力设备大气辐射试验方法 第1部分：集成电路中子单粒子效应

标准编号：DL/T 2979.1-2025

标准名称：电力设备大气辐射试验方法 第1部分：集成电路中子单粒子效应

英文名称：Atmospheric radiation test method of power equipment-Part 1: Neutron induced single event effects in integrated circuits

发布日期：2025-12-18

实施日期：2026-06-18

提出单位：中国电力企业联合会

归口单位：中国电力企业联合会电力集成电路标准化技术委员会

批准发布部门：国家能源局

起草人

张战刚,雷志锋,彭超,陈朝晖,王成昊,杨柳,周月宾,徐义良,熊岩,沈钦义,朱长银,张逸帆,李伟,李金元,李尧圣,杨晓亮,陈中圆,陶伟,董飞龙,王振,孔令明,周华良,邹志杨,岳峰,周兆庆,国建宝,徐硕,曲烽瑞,谷海彤,陈斌源,衷宇清,岳菁鹏,来萍,韦覃如,马腾,门长有,房超,渠广涛,杜春瑶,刘絮飞,郑玉山,陈沛光,张永旺,路韬,张颉,宋坤

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所,中国南方电网电力调度控制中心,国网智能电网研究院有限公司,南方电网科学研究院有限责任公司,北京智芯微电子科技有限公司,南京南瑞继保电气有限公司,中国电力科学研究院有限公司,北京怀柔实验室,北京智慧能源研究院,南方电网数字电网研究院股份有限公司,中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院,国电南瑞科技股份有限公司,南京国电南自自动化有限公司,广东粤电博贺能源有限公司,广东电网有限责任公司广州供电局,广东电网有限责任公司电力科学研究院,中关村芯海择优科技有限公司,杭州万高科技股份有限公司,国网吉林省电力有限公司,国网吉林省电力有限公司白城供电公司,国网吉林省电力有限公司经济技术研究院,广东电网有限责任公司计量中心,国网四川省电力公司

标准范围

本文件描述了使用中子源对电力设备用集成电路进行高能中子单粒子效应加速试验的方法，包括一般要求、试验要求、试验程序等。

本文件适用于带存储的集成电路，包括存储器（如SRAM、DRAM、Flash、EEPROM等）、FPGA、CPU、SoC、MCU、GPU、AI芯片等的中子单粒子效应测试。本文件适用的单粒子效应类型包括单粒子翻转、单粒子功能中断、单粒子闩锁等。本文件不适用于热中子和a粒子在集成电路中引起的单粒子效应测试。

标准文档截图