T/CASAS 045-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法

标准编号：T/CASAS 045-2024

标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法

英文名称：Dynamic gate stress test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistor（SiC MOSFET）

发布日期：2024-11-19

实施日期：2024-11-19

团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草人

孙博韬、樊嘉杰、侯欣蓝、罗润鼎、史文华、雷光寅、陈媛、左元慧、张俊然、李钾、冯海科、汤益丹、谢峰、崔丁元、于亮、刘惠鹏、袁琰、王民、张海涛、庄建军、张园览、刘鹏飞、乔良、王丹丹、万玉喜、陈刚、王来利、杨奉涛、刘宗亮、李本亮、徐瑞鹏

起草单位

清纯半导体（宁波）有限公司、复旦大学宁波研究院、复旦大学、工业和信息化部电子第五研究所、东风汽车集团有限公司、杭州三海电子科技股份有限公司、中国科学院微电子研究所、深圳禾望电气股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司、宁波达新半导体有限公司、智新半导体有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、上海维安电子股份有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、中国电力科学研究院有限公司、湖北九峰山实验室、深圳平湖实验室、西安交通大学、江苏第三代半导体研究院有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

标准范围

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法，包括试验装置、失效判据。

本文件适用于对SiC MOSFET栅氧质量的评估，主要包括芯片、分立器件、模块。

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