GB/T 46717-2025 半导体器件金属化空洞应力试验

国家标准

标准编号：GB/T 46717-2025

标准名称：半导体器件金属化空洞应力试验

英文名称：Semiconductor devices—Metallization stress void test

发布日期：2025-10-31

实施日期：2026-05-01

提出单位：工业和信息化部（电子）

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

批准发布部门：工业和信息化部（电子）

起草人

裴选、席善斌、卫云、高东阳、赵昱、柯佳键、龙秀才、程志勇、李潇龙、曲佳健、杨俊锋、侯继儒、尹丽晶、吴亚光、任怀龙、肖庆中、曲韩宾、高博、赵妍婷

中国电子科技集团公司第十三研究所、广州天极电子科技股份有限公司、广东科信电子有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、深圳市微特精密科技股份有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、中国核电工程有限公司河北分公司、河北新华北集成电路有限公司、中山奥士森电子有限公司、河北赛美科技有限公司

本文件描述了铝（Al)或铜（Cu)金属化空洞应力试验方法及相关判据。

本文件适用于半导体工艺的可靠性研究和鉴定。