T/CASAS 046-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法

标准编号：T/CASAS 046-2025

标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法

英文名称：Dynamic reverse bias (DRB) test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistor (SiC MOSFET)

发布日期：2025-12-30

实施日期：2025-12-30

团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草人

陈媛、何亮、施宜军、毛赛君、陈兴欢、路国光、来萍、赵鹏、王宏跃、蔡宗棋、张瑾、吴海平、孙博韬、丁琪超、左元慧、张俊然、李钾、朱贤龙、王民、胡浩林、曾威、袁俊、谢峰、杨霏、刘昌、朱占山、暴杰、李汝冠、孙钦华、王来利、张彤宇、池源、王铁羊、刘陆川、赵高锋、胡惠娜、郭俊、李本亮、高伟

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、中国科学院电工研究所、比亚迪半导体股份有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司、复旦大学宁波研究院、东风汽车集团有限公司、深圳平湖实验室、湖北九峰山实验室、深圳市禾望电气股份有限公司、中国电力科学研究院有限公司、广东芯聚能半导体有限公司、中国第一汽车集团有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、西安交通大学、合肥功立德半导体科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

标准范围

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的动态反偏(DRB)试验方法。

本文件适用于SiC MOSFET分立器件和功率模块评估高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化评价。

标准文档截图