GB/T 43894.2-2026 半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA）

标准编号：GB/T 43894.2-2026

标准名称：半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA）

英文名称：Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 2: Roll-off amount（ROA）

发布日期：2026-01-28

实施日期：2026-08-01

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

批准发布部门：国家标准委

起草人

宁永铎、朱晓彤、张婉婉、张雪囡、吕莹、徐新华、陆占清、于亚迪、王玥、刘云霞、徐国科、丁雄杰、马砚忠

起草单位

山东有研半导体材料有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、深圳中科飞测科技股份有限公司、西安奕斯伟材料科技股份有限公司、金瑞泓微电子（衢州）有限公司、广东天域半导体股份有限公司、云南驰宏国际锗业有限公司

标准范围

本文件描述了用边缘卷曲法(ROA)评价半导体晶片近边缘几何形态的方法。

本文件适用于直径300 mm 硅抛光片、硅外延片、绝缘体上硅(SOI片)及其他带有表面层的圆形晶片，也适用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。

标准文档截图