SJ/T 11976-2025 绝缘栅双极晶体管（IGBT）用中子嬗变掺杂区熔硅单晶

标准编号：SJ/T 11976-2025

标准名称：绝缘栅双极晶体管（IGBT）用中子嬗变掺杂区熔硅单晶

英文名称：Neutron transmutation doped float zone silicon single crystal for Insulate Gate Bipolar Transistors(IGBT)

发布日期：2025-05-09

实施日期：2025-08-01

提出单位：中国电子技术标准化研究院

归口单位：中国电子技术标准化研究院

批准发布部门：工业和信息化部

起草人

由佰玲、孙健、张雪圆、王万礼、罗海辉、朱阳军、田媛、金锐、张波、张金平、杨继业、杨寿国、王永涛

起草单位

天津中环领先材料技术有限公司、中环领先半导体材料有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、天津中环半导体股份有限公司、株洲中车时代半导体有限公司、南京新长征科技有限公司、西安卫光科技有限公司、湖南国芯半导体科技有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、电子科技大学、上海华虹宏力半导体制造有限公司、吉林华微电子股份有限公司、有研硅材料技术有限公司

标准范围

本文件规定了IGBT用中子嫂变掺杂区熔硅单晶（以下简称NTD硅单晶）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书等。

本文件适用于IGBT产品用NTD硅单晶。

标准文档截图