SJ/T 12032-2025 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法

标准编号：SJ/T 12032-2025

标准名称：半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法

英文名称：Semiconductordevices-Discrete devices-Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide metal oxide semiconductorfield effect transistor

发布日期：2025-09-09

实施日期：2026-03-01

提出单位：中国电子技术标准化研究院

归口单位：中国电子技术标准化研究院

批准发布部门：工业和信息化部

起草人

闫美存、周圣泽、孙明、张秋、孙博涛、雷光寅、管灵鹏、吴维面、刘奥、陈义强、刘斯扬、刘国友、彭勇殿、金锐、吴军

起草单位

中国电子技术标准化研究院、工业和信息化部电子第五研究所、清纯半导体（宁波）有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、东南大学、株洲中车时代半导体有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、国网智能电网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第十四研究所

标准范围

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“器件”）的通用测试方法，包括额定值（极限参数）验证、电特性测试与热特性测试。

本文件适用于碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，其他金属氧化物半导体场效应晶体管也可参照使用。

标准文档截图