GB/T 43894.3-2026 半导体晶片近边缘几何形态评价第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR）

国家标准

标准编号：GB/T 43894.3-2026

标准名称：半导体晶片近边缘几何形态评价第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR）

英文名称：Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry —Part 3:Sector area flatness(ESFQR，ESFQD，ESBIR）

发布日期：2026-07-02

实施日期：2027-02-01

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

批准发布部门：国家标准委

起草人

朱晓彤、宁永铎、徐新华、徐国科、高冰、顾广安、王玥、刘云霞、张婉婉、丁雄杰、钟佑生、马砚忠

山东有研半导体材料有限公司、金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司、广东天域半导体股份有限公司、上海晶盟硅材料有限公司、深圳中科飞测科技股份有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、西安奕斯伟材料科技股份有限公司、浙江晶越半导体有限公司、郑州合晶硅材料有限公司

本文件描述了用扇形区域平整度（ESFQR、ESFQD、ESBIR）评价半导体晶片近边缘几何形态的方法。

本文件适用于直径300 mm硅抛光片、硅外延片、绝缘体上硅（SOI片），也适用于其他带有表面层的硅片或半导体材料圆形晶片。