T/CASAS 015-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法

标准编号：T/CASAS 015-2025

标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法

英文名称：Power cycling test method for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor（SiC MOSFET）

发布日期：2025-12-30

实施日期：2025-12-30

团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草人

陈媛、贺致远、来萍、路国光、何亮、陈兴欢、施宜军、姚天保、李金元、李尧圣、谢峰、成年斌、陈义强、黄云、刘奥、刘昌、蔡宗棋、吴海平、唐宏浩、王宏跃、付志伟、赵鹏、刘伟鑫、李巍巍、王来利、陈刚、罗曦溪、乔良、徐瑞鹏

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所、江苏宏微科技股份有限公司、国网智能电网研究院有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、国芯微电子（广东）有限公司、中国电子科技集团第五十五研究所、比亚迪半导体股份有限公司、深圳基本半导体有限公司、中国航天科技集团公司第八研究院第八0八研究所、南方电网科学研究院有限责任公司、西安交通大学、深圳平湖实验室、东莞南方半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

标准范围

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。

本文件适用于不带反向并联肖特基二极管的SiC MOSFET分立器件的功率循环试验。

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