GB/T 7576-2026 半导体分立器件大功率双极型晶体管空白详细规范

国家标准

标准编号：GB/T 7576-2026

标准名称：半导体分立器件大功率双极型晶体管空白详细规范

英文名称：Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for high power bipolar transistors

发布日期：2026-03-31

实施日期：2026-10-01

提出单位：工业和信息化部（电子）

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

批准发布部门：工业和信息化部（电子）

起草人

曹赞、周圣泽、侯秀萍、卞岩、王辉、王丕龙、孙明、闫美存、戴俊夫、田燕春、周刚

中国电子技术标准化研究院、济南晶恒电子有限责任公司、国家国防科技工业局军工项目审核中心、青岛佳恩半导体有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、西安环宇芯微电子有限公司、深圳市麦思浦半导体有限公司、深圳市信展通电子股份有限公司

本文件规定了制定大功率双极型晶体管详细规范的要求、试验条件和检验要求、包装、运输和贮存。

本文件适用于大功率双极型晶体管详细规范的制定。